[MicroChemicals] AZ 40XT-11D Photoresist - 0.10 l

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MicroChemicals의 Photochemicals 제품을 소개드립니다.
 

AZ® 40XT는 chemically amplified 공정을 기반으로 하는 i-line photosensitive ultra-thick photoresist로, 높은 종횡비(high aspect ratio) 구조 형성에 최적화된 제품입니다.

AZ® 40XT는 약 15~50 µm 범위의 photoresist 두께를 구현할 수 있습니다. Chemically amplified resist로서 softbake와 노광(exposure) 사이에 재수화 과정이 필요 없으며, 동일 두께의 비화학 증폭형(photoresist) 대비 훨씬 낮은 노광량으로 공정이 가능합니다. 또한 노광 중 질소가 발생하지 않아 기포(bubble) 형성이 없고, 두꺼운 레지스트에서도 높은 현상 속도(development rate)를 제공합니다. 이러한 특성은 공정을 더욱 빠르고 안정적으로 수행할 수 있게 합니다.

다양한 기판(substrate)에 대한 우수한 접착력과 수직에 가까운 측벽(sidewall) 형성이 가능해 Cu, Ni, Au 등의 갈바닉 몰딩(galvanic molding)에 적합합니다. 기본적으로 i-line에 감응하지만, 높은 노광량과 두꺼운 레지스트 조건에서는 h-line(405 nm)도 사용 가능합니다.

이러한 chemically amplified photoresist는 노광 후 반응을 완결하고 현상을 가능하게 하기 위해 post exposure bake 공정이 필수입니다. 약 15 µm 이하의 얇은 막이 필요한 경우 PGMEA(= AZ® EBR Solvent)로 희석이 가능합니다.

Soft bake 또는 post exposure bake 과정에서 기포가 발생할 경우(특히 두꺼운 막에서), 온도를 서서히 상승시키는 램핑 방식이나 다단계 베이킹 공정을 적용하면 개선할 수 있습니다. 이러한 방법으로도 해결되지 않을 경우, 동일한 chemically amplified 방식의 ultra-thick photoresist인 AZ® IPS 6090 사용이 권장됩니다.

본 제품에는 TMAH 기반 현상액인 AZ® 326 MIF 또는 AZ® 726 MIF 사용이 권장됩니다. 반면 KOH 또는 NaOH 기반 현상액(AZ® 400K, AZ® 351B 등)은 AZ® 40XT에 적합하지 않습니다.

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